中国への高度半導体装置の輸出がもたらす「5〜10年後の危機」：米研究機関がDUVi規制強化を提言

高度な半導体露光装置の輸出がもたらす地政学的リスク

近年、人工知能（AI）技術の急速な発展に伴い、その基盤となる最先端半導体の製造技術をめぐる地政学的な緊張が高まっています。こうした中、米国のAI・半導体政策研究機関である「テクノロジー＆ステートクラフトセンター」が、高度な半導体露光装置の中国への輸出に関する衝撃的な報告書を公開しました。

報告書は、高度な半導体露光装置の中国への輸出をこのまま認めた場合、今後5年から10年という短いスパンで、AI分野におけるアメリカの優位性が失われるリスクがあると強く警告しています。

中国が保有する露光装置の現状と自国生産の限界

半導体製造において、回路パターンをウェハー上に焼き付ける「露光装置」は極めて重要な役割を担っています。報告書によると、中国は2020年以降、ASML社製の「NXT:1980i」を中心として、深紫外線液浸（DUVi）半導体露光装置を合計300台規模でそろえたとみられています。

一方で、中国国内での技術開発も進められており、2026年7月には中国国営企業が半導体生産に必要なDUV露光装置の製造を開始したことが報じられました。しかし、自国での技術確立には依然として高い壁が存在します。同報告書では、中国が2030年代半ばになっても、高度な半導体製造装置を大規模に製品化できる可能性は低いと分析しています。

このことは、中国が最先端半導体を製造するためには、依然として海外製の高度な露光装置、特にDUVi装置に依存せざるを得ない状況であることを示しています。

提唱される「DUVi輸出禁止」と強力な規制手段

テクノロジー＆ステートクラフトセンターは、中国によるAIチップの生産能力拡大を阻止するため、乾式DUVを除くすべてのDUVi装置について、中国への輸出を禁止すべきだと提唱しています。

さらに、同機関は規制の実効性を担保し、中国によるDUVi入手の「抜け穴」を完全に塞ぐための具体的な安全対策や輸出制限措置についても言及しています。

具体的には、半導体製造装置の主要な開発国であるオランダや日本の動きが消極的である場合、米国が「外国直接製品ルール（FDPR）」を用いて強制的に輸出制限をかけるべきだとしています。また、輸出管理規則を利用することで、米国の工具が用いられているASMLの工場を停止させるという、極めて強力な対抗措置も選択肢として挙げています。